ASML担忧的事发生，纳米压印技术被突破，EUV光刻机地位受到挑战。

芯片规则不断的升级，老美也亲手打破了自己创立的“科技无国界”论，在感受到美技术体系不可靠之后，各个国家和地区就开始明里暗里启动芯片的自研自产，美企一手“好牌”也就此打烂了。

ASML、台积电作为老美手上最大的两颗“棋子”，如果按照目前的趋势发展下去的话，迟早都会有被用“废”的一天，虽然光刻机是造芯不可获取的设备，但并不意味着永远不可替代。

目前东京理科大学的学者，成功实现了对于纳米压印技术的突破，并且已经被证实可用于10nm以下芯片的生产，目标直指ASML的EUV光刻机，那这项技术有什么用呢？又是否会对ASML造成困扰？

纳米压印技术突破

最顶尖的EUV光刻机，拥有这超过数十万的零部件，而其中又有超过80%需要依赖国际供应链，难以突破也正是因为这个原因，因此严格意义上来讲，ASML也只能算的上是一家组装厂。

7nm及以下的芯片制造，就需要用到EUV光刻机，目前ASML是唯一能够制造的企业，因此经常被各大芯片厂商奉为“座上宾”，也就此完全垄断了全球市场，在市场上占据这绝对的主动权。

但在老美升级芯片限制后，ASML的实际地位就发生了改变，不仅失去了EUV光刻机的自由出货，就连DUV光刻机也有可能被进一步限制，从当初对国产光刻机研发的不屑一顾，转变为可以讨好中国市场。

在中科院的领头之下，不断在光刻机核心技术上实现突破，也给足了ASML压力，但不可否认想要完全实现光刻机自主化，是需要得到全球供应链支持的，也难怪当初ASML会说：“就算给我们图纸，我们也制造不出来！”

而ASML的嘚瑟也持续不了多久时间了，根据近期传来的消息，东京理科大学的学者，已经成功解决了纳米压印技术方面的难题，实现了紫外硬化纳米压印（UV-NIL）创建10纳米以下分辨率形貌的突破。

之前未能实现突破10nm以下分辨率，是受限于光刻胶材料方面的因素，该团队已经实现对光刻胶材料的优化升级，阐明了光刻胶分子成分与压印过程的作用机制，成功验证了适用于UV-NIL工艺的光刻胶材料。

而UV-NIL工艺一直都备受关注，不需要高温高压的条件，也让其在低成本的状态下，实现媲美光学光刻质量图形的潜力，而在2021年的时候这项技术就已经实现了商用，成功实现了15nm芯片的量产。

ASML担忧的事在发生

ASML还没有解决光刻机的自由出货问题，如今却被告知已经有可替代的技术，而且能够实现10nm以下的芯片制造，这对企业而言无疑是雪上加霜，危机正在一步步靠近。

不过UV-NIL工艺也存在一定的问题，纳米压印过程简单点来理解的话，就是一个盖章的过程，把提前设计好的电路图，直接印在晶圆上，但由于是和光刻胶直接接触的，所以会导致模板的使用寿命有限，如果没有及时更换的话，很容易造成刻印芯片出现问题。

而光刻机则类似于“照相机原理”，因此在零部件上的损耗是比较小的，但目前纳米压印技术处于初期阶段，就已经能够达成这样的效果，给足够的时间进行深入研发，未必不能解决这些实质问题。

对于动辄上亿美元的EUV光刻机，纳米压印技术整体的产能布局过程，在成本上肯定是更具备有优势，而且这项技术同样也可以利用到极紫外光线，在实现10nm以下工艺之后，是可以和现阶段技术进行无缝衔接的，后续的流程几乎是一致的。

而造成技术的突破因素，自然是因为光刻机无法自由出货，三年的时间足以改变很多了，老美直接切断了全球芯片供应链，各个国家只能够奋起直追，研发属于自己的核心技术，ASML这一次被坑惨了。

目前日企尼康以及佳能，又宣布重新进入光刻机市场，在封装光刻机上ASML已然没有了优势，外加上NIL工艺的诞生，ASML如果不能尽快实现EUV光刻机的自由出货，等待它的是什么可想而知。

目前就连台积电也开始暗中研发先进封装工艺，芯片堆叠工艺已经用在了苹果芯片上，所以证明根本不存在所谓的坚实盟友，所有关系都是建立在利益之下的，对此你们又是怎么看的呢？