在华为遭遇台积电断供之后，任正非曾表示，海思虽然可以设计出全球最顶尖的芯片，但国内芯片制造水平却跟不上，暂时还造不出来，华为不可能又做产品又去制造芯片。

这就是国内芯片市场最真实的现状，重资产领域的制造业存在着巨大的短板。作为大陆市场技术最先进、规模最大的代工企业，根据中芯国际官方公示资料可知，现阶段它可量产的最高工艺是14nm制程。

从表面上看，中芯国际与台积电还有不小的差距，毕竟后者已更新到了3nm制程。但工艺上的差距并不代表着技术上的差距。

在梁孟松的带领下，中芯国际近些年的快速崛起有目共睹，仅五年时间，便从90nm迭代到14nm，其更新效率远超当年的台积电和三星。

之所以无法在尖端制程方面更进一步，最主要的原因就是缺少EUV光刻机。虽然中芯国际在2018年之时就曾向ASML订购过EUV光刻机，可在美国的干预之下，这些设备至今也未能到货。

相比之下，拥有优先采购权的台积电，却手握80多台EUV光刻机，这也是台积电能稳坐全球第一大代工厂商宝座的主要原因之一。

按照正常逻辑，中芯国际若想打破如今的芯片格局，就该在先进制程领域加大投资，克服设备短缺的难关。

可没想到的是，中芯国际在前不久却宣布决定，将投资75亿美元在天津建造一座12英寸晶圆厂生产线，聚焦110nm至28nm芯片制程，规划月产能为10万片。

要知道，中芯国际2022年上半年的营收为245.92亿元，如今却投资75亿美元扩产成熟芯片制程，可以说是不折不扣的“大手笔”。

事实上，从去年至今，中芯国际已先后四次投资扩产成熟芯片制程，累计投资超过了1700亿元。在外界看来，中芯国际的这些举动，相当于是放弃了先进制程，把所有的“宝”都押注在了成熟工艺制程，与台积电之间的差距也可能会越来越大。

但从目前的情况来看，结果却恰恰相反，中芯国际押注成熟芯片制程的“大手笔”，似乎是赌对了。

据国际半导体协会公布的资料显示，如今全球缺芯状况已得到了缓解，尤其是先进制程工艺，受全球智能手机市场滑坡的影响，尖端芯片非但不缺，反而还出现了严重的产能过剩。

例如高通、联发科等，均已削减先进制程芯片订单，而英特尔、苹果更是推迟了3nm芯片的发布。连台积电也计划放弃N3工艺，甚至还将关停部分EUV光刻机，以此减轻先进制程的成本支出。

反观成熟工艺制程，其市场需求却依然旺盛。虽然成熟制程芯片的性能表现不如先进制程，但应用范围却更广，像智能家电、航天航空、5G基站、人工智能、汽车等诸多关键领域，所用到的都是28nm以上的芯片，市场应用率高达70%以上。

很显然，中芯国际扩产成熟工艺制程的决定是正确的，对国产芯片的发展更是意义重大。

正如中国工程院院士吴汉明所说：相比攻克EUV设备、布局高端芯片市场，提高成熟芯片国产化率、做好系统优化，才是当务之急，只有先站稳了中低端市场，才能更好的冲击高端。

据公开资料显示，中芯国际在28nm/14nm成熟芯片方面的良率已达到了比肩台积电的水平，其产能效率、客户数量、订单种类等，均达到了全球第一的位置。

值得强调的是，中芯国际不仅在28nmSoc芯片方面实现了领先，在BCD工艺领域同样做到了后来居上。

BCD工艺与Soc芯片不同，它是单片集成工艺，简单来说就是将三种不同的元器件集中在一颗芯片上，主要应用于汽车、通信等行业。

截至目前，中芯国际的BCD工艺已突破了55nm，而台积电和三星却仍停留在65nm节点，意法半导体更是只有90nm。

如今的成熟芯片市场，可以说是大势已定。中芯国际不仅奠定了自己的行业地位，而且也为接下来的快速发展打下了坚实的基础。

当然，这也意味着台积电不愿看到的情况出现了。原因很清晰，由于台积电已在美国建造了一座5nm晶圆厂，按照美国芯片法案的规定，接受补贴的企业，在未来十年内，将被禁止在中国大陆市场扩大产能和新建先进制程。也就是说，台积电在大陆芯片市场，已失去了与中芯国际一较高下的资格。

另外，随着高端芯片市场的供大于求，在N3工艺方面受阻的台积电，也就无法再次拉大与中芯国际之间的差距。

要知道，我国拥有着全球最大的芯片消费市场，对代工企业而言，只要技术过硬，就完全不愁订单。源源不断的营收支撑，无疑会在很大程度上加快中芯国际扩大商业版图的节奏，以及技术突破创新的步伐。

至于台积电，前途本该是一片光明，毕竟它在代工技术、产能规模等方面都握有巨大优势。可刘德音等高管人员却非要紧跟美国脚步，卑躬屈膝。可叹的是，美国一直都没有把它当作自己人，反而还妄图转移其核心技术。

如今随着国产芯片的不断崛起，台积电似乎是大势已去，但也只能说是自食其果